读写内部FLASH
读写内部FLASH
MDK的编译过程及文件类型全解
编译过程
程序的组成、存储与运行
编译工具链
MDK工程的文件类型
实验:自动分配变量到外部SDRAM空间
实验:优先使用内部SRAM并把堆区分配到SDRAM空间
每课一问
在SRAM中调试代码
在RAM中调试代码
STM32的启动方式
内部FLASH的启动过程
实验:在内部SRAM中调试代码
读写内部FLASH
STM32的内部FLASH简介
对内部FLASH的写入过程
查看工程的空间分布
操作内部FLASH的库函数
实验:读写内部FLASH
每课一问
设置FLASH的读写保护及解除
选项字节与读写保护
修改选项字节的过程
操作选项字节的库函数
实验:设置读写保护及解除
每课一问
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每课一问
每课一问
尝试擦除应用程序所在的内部FLASH扇区,观察实验现象。
使用C语言的“const uint8_t value;”和“volatile const uint8_t value”语句定义的变量value有什么区别?若定义后使用内部FLASH操作擦除value的存储空间,再读取value的值,哪种定义能正常读取?
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